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東北大學開發出低電流下高效發光的GaN Micro LED

字體變大  字體變小 發布日期:2019-08-06  瀏覽次數:3394
核心提示:產業技術綜合研究所和東北大學于2019年7月宣布,他們開發了一種在電流密度較低情況下也能保持發光效率的GaN(氮化鎵)Micro LED。
 產業技術綜合研究所和東北大學于2019年7月宣布,他們開發了一種在電流密度較低情況下也能保持發光效率的GaN(氮化鎵)Micro LED。他們試做的GaN Micro LED尺寸僅為6μm見方,如果把這款GaN Micro LED以較高的密度排列的話,就可以獲得高效率、高分辨率的Micro LED顯示屏。

本次研究中,產總研致力于研究通過中性粒子光束蝕刻(Beam Etching)技術制作具有GaN納米結構的LED;日本東北大學開發了對半導體材料幾乎不會產生損傷的中性粒子光束蝕刻技術(Beam Etching)。兩家單位通過合作,共同開發了GaN Micro LED。

該研究小組此次采用了中性粒子光束蝕刻(Beam Etching)技術和傳統的ICP蝕刻(Etching)技術,分別制作了4種不同尺寸(40μm見方、20μm見方、10μm見方、6μm見方)的GaN Micro LED。

關于6μm的Micro LED,當電流密度為5A/cm2時,比較了采用兩種技術后的發光效率。結果,利用中性粒子光束蝕刻技術試做的產品的發光效率幾乎是ICP蝕刻技術的5倍。

使用6μm的Micro LED,顯示屏的分辨率就會超過2000像素(Pixel)/英寸,那么就可以應用于虛擬現實(AR)、擴展現實(XR)的頭戴式顯示屏(Head Mount Display)等用途。(來源:eetimes.jp)

 

 
關鍵詞: 東北大學
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